[发明专利]电子束器件的阴极材料及其制备方法无效
| 申请号: | 99813845.2 | 申请日: | 1999-10-01 |
| 公开(公告)号: | CN1328693A | 公开(公告)日: | 2001-12-26 |
| 发明(设计)人: | 崔钟书;金润昶;朱圭楠;N·奥索伦科;V·舒托韦斯基;O·库尔塔谢夫 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社;尼科斯-伊科有限公司 |
| 主分类号: | H01J1/14 | 分类号: | H01J1/14 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王其灏 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子束 器件 阴极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子束器件的阴极材料,所述阴极材料含有0.5到9.0%(重量)的一种铈族稀土金属、0.5到15.0%(重量)的钨和/或铼,0.5到10%(重量)的铪和剩余的为铱。
2.根据权利要求1的阴极材料,其中所述铈族稀土金属至少有一种选自镧、铈、镨、钕和钐。
3.根据权利要求1的阴极材料,其中铪的含量在2到5%(重量)的范围内。
4.根据权利要求1的阴极材料,其中所述阴极材料包括含有铈和铱的灰色相和含有钨、铪和铱的白色相两相。
5.制备根据权利要求1的阴极材料的方法,包括以下的步骤:
(a)熔融铱和铈制备Ir5Ce;
(b)熔融铪和钨制备Hf3W;和
(c)将步骤(a)和(b)制得的合金Ir5Ce和Hf3W熔融制备四元合金锭。
6.根据权利要求5的方法,该方法还包括步骤(d)重新熔化(c)步骤制备的合金锭,并缓慢地使之凝固以免产生裂纹。
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