[发明专利]电子束器件的阴极材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 99813845.2 申请日: 1999-10-01
公开(公告)号: CN1328693A 公开(公告)日: 2001-12-26
发明(设计)人: 崔钟书;金润昶;朱圭楠;N·奥索伦科;V·舒托韦斯基;O·库尔塔谢夫 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社;尼科斯-伊科有限公司
主分类号: H01J1/14 分类号: H01J1/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王其灏
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子束 器件 阴极 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电子束器件的阴极材料,所述阴极材料含有0.5到9.0%(重量)的一种铈族稀土金属、0.5到15.0%(重量)的钨和/或铼,0.5到10%(重量)的铪和剩余的为铱。

2.根据权利要求1的阴极材料,其中所述铈族稀土金属至少有一种选自镧、铈、镨、钕和钐。

3.根据权利要求1的阴极材料,其中铪的含量在2到5%(重量)的范围内。

4.根据权利要求1的阴极材料,其中所述阴极材料包括含有铈和铱的灰色相和含有钨、铪和铱的白色相两相。

5.制备根据权利要求1的阴极材料的方法,包括以下的步骤:

(a)熔融铱和铈制备Ir5Ce;

(b)熔融铪和钨制备Hf3W;和

(c)将步骤(a)和(b)制得的合金Ir5Ce和Hf3W熔融制备四元合金锭。

6.根据权利要求5的方法,该方法还包括步骤(d)重新熔化(c)步骤制备的合金锭,并缓慢地使之凝固以免产生裂纹。

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