[发明专利]半导体制作方法

摘要

本发明涉及到一种半导体电路的半导体制作方法,该电路具有多个一种类型的有源器件NMOS1,NMOS2,NPN1,NPN2。该方法包括下列步骤在半导体衬底(1)上安排第一区域(4,16),并在所述第一区域(4,16)中实现两个具有不同种特性的所述类型的有源器件。实现所述有源器件的步骤包括在所述第一区域(4,16)中形成第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子区域,并进一步包括分别引入不同剂量参数的第一P1,P3和第二P2,P4掺杂剂,到所述第一区域的第一和第二区域,所述掺杂剂是同一类p型,以及包括退火所述衬底(1)以分别形成所述第一(6’,10’)和第二(6”,10”)子区域,由此两个具有不同掺杂分布的子区域能够被制作在单个集成电路上。

主权项

1．一种至少一个半导体电路的半导体制作方法，该电路包括多个实现在半导体衬底(1)上的特定类型的双极型晶体管(NPN1,NPN2)，所述方法包括下列步骤：-在具有第一类型(n)第一掺杂剂的所述半导体衬底(1)上安排第一区域(16)，-在所述第一区域(16)中形成至少一个第一(6’)和一个第二(6”)基极区，-通过引入所述第一类型(n)第二掺杂剂到所述基极区(6’,6”)的每一个，形成发射极区(7)，和-通过引入所述第一类型(n)第三掺杂剂到所述第一区域(16)中，形成收集极区(8)，其特征在于所述形成基极区(6’,6”)的步骤包括下列步骤：-分别引入至少一个第二类型(p)的第四(p1)和第五(p2)掺杂剂到至少一个所述第一区域(16)的第一和第二区内，第二类型与(p)第一类型(n)相反，所述第四和第五掺杂剂具有不同的剂量参数，以及-在形成所述发射极(7)的步骤之前，退火所述衬底以分别建立所述至少一个第一(6’)和第二(6”)基极区，由此在单个退火步骤期间建立至少两个具有不同掺杂分布的基极区，并且在所述半导体电路中建立至少两个具有不同特性的双极型晶体管。