[发明专利]半导体制作方法

权利要求书

1．一种至少一个半导体电路的半导体制作方法，该电路包括多个实现在半导体衬底(1)上的特定类型的双极型晶体管(NPN1,NPN2)，所述方法包括下列步骤：

-在具有第一类型(n)第一掺杂剂的所述半导体衬底(1)上安排第一区域(16)，

-在所述第一区域(16)中形成至少一个第一(6’)和一个第二(6”)基极区，

-通过引入所述第一类型(n)第二掺杂剂到所述基极区(6’,6”)的每一个，形成发射极区(7)，和

-通过引入所述第一类型(n)第三掺杂剂到所述第一区域(16)中，形成收集极区(8)，

其特征在于所述形成基极区(6’,6”)的步骤包括下列步骤：

-分别引入至少一个第二类型(p)的第四(p₁)和第五(p₂)掺杂剂到至少一个所述第一区域(16)的第一和第二区内，第二类型与(p)第一类型(n)相反，所述第四和第五掺杂剂具有不同的剂量参数，以及

-在形成所述发射极(7)的步骤之前，退火所述衬底以分别建立所述至少一个第一(6’)和第二(6”)基极区，由此在单个退火步骤期间建立至少两个具有不同掺杂分布的基极区，并且在所述半导体电路中建立至少两个具有不同特性的双极型晶体管。

2．权利要求1的半导体制作方法，其中引入所述第四和第五掺杂剂(p₁,p₂)的每个步骤包括：

-选择至少一个区域(21,22)，用来引入至少一种所述掺杂剂(p₁,p₂)，和

-把所述至少一种掺杂剂(p₁,p₂)离子注入到所述区域(16)中的所述至少一个区域中。

3．权利要求2的半导体制作方法，其中引入所述第四和第五掺杂剂的步骤进一步包括下列步骤：

-在所述离子注入步骤之前，用保护层(24)涂敷该区域，和

-在所述离子注入步骤之后，从该区域去除所述保护层。

4．权利要求1-3中任一个的半导体制作方法，其中每一组剂量参数借助于改变剂量参数和/或能量参数来选择。

5．权利要求1-4中任一个的半导体制作方法，其中所述至少两个双极型晶体管中每一个发射极区(7)，被选择成基本相同。

6．一种至少一个半导体电路的半导体制作方法，该电路包括多个实现在半导体衬底(1)上的特定类型的MOS晶体管(NMOS1,NMOS2)，所述方法包括下列步骤：

-在所述半导体衬底(1)上安排第一区域(4)，

-在所述第一区域(4)中形成至少一个第一(10’)和一个第二(10”)沟道区，

-通过引入第一类型(n)第一掺杂剂，在每个沟道区(10’,10”)的两个相反面上形成源极区(14)和漏极区(15)，

其特征在于所述形成沟道区的步骤包括下列步骤：

-分别引入至少一种第二类型(p)的第二(p₃)和第三(p₄)掺杂剂到至少一个所述第一区域(4)的第一和第二区域内，第二类型(p)与所述第一类型(n)相反，所述第二和第三掺杂剂具有不同的剂量参数，以及

-在形成所述源极区(14)和漏极区(15)的步骤之前，退火所述衬底以分别建立至少一个第一(10’)和第二(10”)沟道区，

由此在单个退火步骤期间建立至少两个具有不同掺杂分布的沟道区，并且在所述半导体电路中建立至少两个具有不同特性的MOS晶体管(NMOS1,NMOS2)。

7．权利要求6的半导体制作方法，其中引入所述第二和第三掺杂剂(p₃,p₄)的每个步骤包括：

-选择至少一个区域(31,32)，用来引入至少一种所述掺杂剂(p₃,p₄)，和

-把所述至少一种掺杂剂(p₃,p₄)离子注入到所述区域(4)中的所述至少一个区域中。