[发明专利]晶体管阵列无效
| 申请号： | 99812996.8 | 申请日： | 1999-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1325548A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | R·克罗维斯;D·杰笃斯;D·恩古延－恩国;K·瓦勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管阵列包括多个晶体管,每个晶体管包括一个发射区。发射区接触位于每个发射区上。至少一个基区位于每个发射区之下,并为阵列中的多个晶体管所公用。至少一个基极接触位于至少一个基区之上,并与每个晶体管相关。多个基极接触为阵列中的至少两个晶体管所公用。至少一个集电极穿通过区与每个晶体管相关。集电极穿通区接触位于每个集电极穿通区之上。导电材料构成的掩埋亚集电区电连接集电极穿通区与每个晶体管的集电极本体区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1．一种包括多个晶体管的晶体管阵列，包括：每个晶体管的发射区；位于每个发射区上的发射区接触；位于每个发射区之下的至少一个基区，该基区为阵列中的多个晶体管所公用；位于至少一个基区上、与每个晶体管相关的至少一个基极接触，多个基极接触为阵列中至少两个晶体管所公用；用于每个晶体管的至少一个集电极穿通区；位于每个集电极穿通区上的集电极穿通区接触；用于每个晶体管的集电极本体；及由导电材料构成的掩埋亚集电区，用于电连接集电极穿通区与每个晶体管的集电极本体区。
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