[发明专利]晶体管阵列

权利要求书

1．一种包括多个晶体管的晶体管阵列，包括：

每个晶体管的发射区；

位于每个发射区上的发射区接触；

位于每个发射区之下的至少一个基区，该基区为阵列中的多个晶体管所公用；

位于至少一个基区上、与每个晶体管相关的至少一个基极接触，多个基极接触为阵列中至少两个晶体管所公用；

用于每个晶体管的至少一个集电极穿通区；

位于每个集电极穿通区上的集电极穿通区接触；

用于每个晶体管的集电极本体；及

由导电材料构成的掩埋亚集电区，用于电连接集电极穿通区与每个晶体管的集电极本体区。

2．根据权利要求1的晶体管阵列，其中基区电连接多个晶体管的发射极与基极接触，提供从基极接触到发射区的基区电流的导电通道。

3．根据权利要求2的晶体管阵列，还包括导电材料构成的至少一个基极接触互连，该互连位于多个基极接触之上，并电连接它们。

4．根据权利要求2的晶体管阵列，还包括：

导电材料构成的多个基极接触互连，该互连位于多个基极接触之上，并电连接它们，每个基极接触互连接触不同组基极接触；及

至少一个导电材料区，用于将多个基极接触互连接电连接在一起。

5．根据权利要求2的晶体管阵列，还包括：

位于多个发射极之下的多个基区，它们为阵列中的多个晶体管所公用，每个基区为不同组晶体管所公用。

6．根据权利要求1的晶体管阵列，其中亚集电区设置于其上形成有晶体管阵列的衬底中。

7．根据权利要求6的晶体管阵列，还包括：

位于掩埋亚集电区上和相关发射区下的多个集电极本体，以便亚集电区提供到阵列中多个集电极本体的公用电连接；及

位于每个集电极本体上和有关发射区下的本征基区。

8．根据权利要求7的晶体管阵列，其中本征基区设置在每个集电极本体和每个发射区之间。

9．根据权利要求3的晶体管阵列，还包括：用于电连接所说基极接触互连接与基极接触的多个导电栓塞。

10．根据权利要求2的晶体管阵列，还包括：导电材料构成的至少一个发射极接触互连，该互连位于多个发射极接触上，并电连接它们。

11．根据权利要求2的晶体管阵列，还包括：

导电材料构成的多个发射极接触互连，该互连位于多个发射极接触上，并电连接它们，每个发射极接触互连接触不同组发射极接触；及

至少一个导电材料区，用于将多个发射极接触互连电连接在一起。

12．根据权利要求10或11的晶体管阵列，还包括：

用于电连接发射极接触互连接与发射极接触的多个导电栓塞。

13．根据权利要求12的晶体管阵列，还包括：

多个发射极稳流电阻，每个与发射极接触金属和发射极接触互连间的每个导电栓塞相关。

14．根据权利要求1的晶体管阵列，其中每个晶体管的发射区的长宽纵横比约为1∶1-约5∶1。

15．根据权利要求1的晶体管阵列，其中该阵列排列成行-列矩阵。

16．根据权利要求1的晶体管阵列，其中基区包括硅化多晶硅。

17．根据权利要求1的晶体管阵列，其中基区包围发射区。

18．根据权利要求9、12或13的晶体管阵列，其中所说栓塞包括钨。

19．根据权利要求4的晶体管阵列，其中所说互连包括铝。

20．根据权利要求1的晶体管阵列，其中集电极穿通区提供到掩埋亚集电区的欧姆接触。

21．根据权利要求1的晶体管阵列，其中基区是单晶硅。