[发明专利]磁致电阻元件及其作为存储单元阵列内的存储元的应用有效
| 申请号： | 99812052.9 | 申请日： | 1999-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1323442A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | S·施瓦茨尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01F10/08 | 分类号： | H01F10/08;H01L43/08;G11C11/15;G11C11/155;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁致电阻元件具有一个第1铁磁层元(11),一个非磁性层元(13)和一个第2铁磁层元(12),它们是如此安排的,非磁性层元(13)安排在第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)之间。第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)基本上具有同一材料,然而,它们通过以下方式在其平行于对非磁性层元(13)界面的截面不同,即至少在一维上具有不同尺寸。磁致电阻元件既适合于作传感元件也适合于作存储单元阵列的存储元。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 元件 及其 作为 存储 单元 阵列 应用 | ||
【主权项】：
1．磁致电阻元件，-其中，提供一个第1铁磁层元(11)，一个非磁性层元(13)和一个第2铁磁层元，它们是如此安排的，使得非磁性层元安排在第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)之间，其中非磁性层元(13)对第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)各有一界面，-其中，第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)基本上具有同一材料，-其中，第1铁磁层元(11)和第2铁磁层元(12)各自在至少平行于非磁性层元(13)界面的一维具有不同尺寸。
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