[发明专利]减少四方性的铁电薄膜无效
| 申请号： | 99811267.4 | 申请日： | 1999-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1319256A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | R·拉梅什 | 申请（专利权）人： | 特尔科迪亚技术股份有限公司;马里兰州立大学 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种Pb1－xLaxZryTi1－yO3或Pb1－xNbxZryTi1－yO3铁电材料,特别是晶向取向外延铁电单元,La或Nb含量较高,使得单位单元的四方性较小,即接近立方体,从而降低应力效应。c/a参数最佳值为1.01左右。示例性的x成份范围当y=20%时,La为6－20%,Nb为3－15%。特别是降低的极化电压与工作在3.0伏以下的集成铁电存储器是兼容的。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 四方 薄膜 | ||
【主权项】：
1．一种铁电存储器单元，其特征在于包括：金属氧化物第一电极；形成于所述第一电极上的铁电层，具有钙钛矿晶体结构并且包含Pb、Zr、Ti、O和至少一个其他稀土元素；形成于所述铁电层上的第二电极；以及与所述两个电极相连的电路，用于供电，控制和读取存储在所述铁电层上的电荷并且具有小于3伏的最大直流供电电压，其中所述铁电层包含足够比例的所述至少一个稀土元素以使所述电路在所述最大直流供电电压下工作。
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