[发明专利]在衬底加工系统中减少衬底污染的方法与装置无效
| 申请号： | 99810749.2 | 申请日： | 1999-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1317147A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | X·S·郭;S－H·李;L·雷 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该装置有一种衬底支架、一种包围所述衬底支架的气体引导护罩，和一种垂直布置在所述衬底支架和气体引导护罩上方的遮蔽环，用于挡住所述衬底。气体引导护罩和衬底支架确定一种环形通道，提供边缘清除气体。边缘清除气体在放置在衬底支架上的衬底边缘施加一种力，使其在衬底支架上升起并且靠着遮蔽环。遮蔽环还具有多个导管，从其上表面向其侧壁延伸，为边缘清除气体提供排出路径，并且阻止工艺气体在背面之下和衬底边缘周围流动。该方法包括下列步骤在衬底支架上提供衬底，向第一组风口施加第一种气流，使衬底在衬底支架上升起，使衬底在衬底支架上对中，向第二组风口提供第二种气流，建立并保持衬底的热控制。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 系统 减少 污染 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．在衬底加工系统中减少衬底污染的装置，包括：衬底支架；包围所述衬底支架的气体引导护罩；和垂直布置在衬底支架和气体引导护罩上方的遮蔽环。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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