[发明专利]半导体工艺舱电极及其制作方法

摘要

一种用等离子体刻蚀工艺加工半导体晶片的工艺系统,该系统的工艺舱包括支撑半导体晶片的支撑卡盘和一对射频功率源,系统的电极第一表面接收来自置于系统外部工艺气体源,把工艺气体送入中心区;第二个表面的多个的电极开孔相联,电极开孔的直径大于气体导入孔的直径。电极开孔位于半导体晶片表面之上电极表面上。电极表面帮助增加电极等离子体鞘层面积,改变了加到晶片表面偏置电压,从而在不增加等离子体密度的前提下增加了晶片上的离子轰击能量。

主权项

1、一种用等离子体刻蚀工艺加工半导体晶片的工艺系统，该系统有一个工艺舱，工艺舱有一个放置半导体晶片的支撑卡盘和一对射频功率源；其特征在于：该系统包括：放在系统中半导体晶片上方的一个电极，该电极有一个中心区，第一表面和第二表面。第一表面用来接收来自放在系统外面的工艺气体源，并把工艺气体送进中心区。第二表面有多个的气体导入孔，它们与相应的多个的电极开孔相联，电极开孔的直径大于气体导入孔的直径，该多个的电极开孔设置在位于半导体晶片表面上方的电极表面上。