[发明专利]具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99801697.7 | 申请日： | 1999-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1296639A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | J·施米茨;P·H·武尔莱;A·H·蒙特莱 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,傅康 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在已知的置换栅工艺中,通过淀积厚氧化层并随后通过CMP平面化该层直到达到栅极,用低欧姆金属栅极代替较高欧姆多晶硅栅极,可以用金属栅选择性地除去和替代栅极。通过用多晶硅虚栅(4)和多晶硅栅极上的氮化层(5)的叠层作为栅极结构可以显著地简化工艺。当在CMP期间达到氮化层时,中止CMP,由此消除了对多晶硅的影响。相对于氧化层(10)选择性地除去氮化物和多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 场效应 晶体管 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法，在该方法中使用含有多晶硅(下文称做poly)的掺杂掩模，在半导体本体表面形成源区和漏区，随后提供介质层并进行如腐蚀或抛光等的材料除去处理，除去它的部分厚度，以便再次露出含多晶硅的掺杂掩模，此后通过选择性腐蚀步骤除去所述含多晶硅的掺杂掩模，随后导电层提供在介质层中的所得凹槽中，该导电层构成晶体管的栅极，特征在于以包括多晶硅的第一子层和第二子层的双层的形式提供含有掺杂掩模的多晶硅，第二子层提供在第一子层上，其由比多晶硅更耐材料除去处理的材料组成，相对于所述介质层可选择性地腐蚀该材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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