[实用新型]可控制区域电流密度的发光二极管无效
| 申请号： | 99244906.5 | 申请日： | 1999-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN2397607Y | 公开（公告）日： | 2000-09-20 |
| 发明（设计）人： | 庄丰如 | 申请（专利权）人： | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可控制区域电流密度的发光二极管,主要在正面电极与LED磊晶层之间或背面电极与基板之间另设有一电流阻隔层,如此可将流经LED磊晶层的电流排除在正面电极底下,而可预防发射光源被正面电极吸收或阻隔而降低透光亮度;且因电流阻隔层的位置可置放于适当特定位置,相对也就规划了电流分布线路及欲发亮发光的区域位置,而相对可在特定区域间得到发光亮度效率最高功能。另外,由于电流阻隔层及电极在基板及LED磊晶层制作完成后才一起形成,制作也较简易方便。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 区域 电流密度 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种可控制区域电流密度的发光二极管，其特征在于：其主要构造包括有：一基板；一成长于该基板上面具有一P-N界面的发光二极管磊晶层，其P-N界面可在电流通过时产生发射光源；一形成于LED磊晶层顶层部分表面的正面电流阻隔层；一形成于该正面电流阻隔层上的正面电极，而该正面电极的部分区域可直接连接该LED磊晶层；一形成于基板底层部分表面的背面电流阻隔层；以及一形成于该背面电流阻隔层底层的背面电极，而该背面电极的部分区域可直接连接该基板。
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