[实用新型]可控制区域电流密度的发光二极管

权利要求书

1、一种可控制区域电流密度的发光二极管，其特征在于：其主要构造包括有：一基板；一成长于该基板上面具有一P-N界面的发光二极管磊晶层，其P-N界面可在电流通过时产生发射光源；一形成于LED磊晶层顶层部分表面的正面电流阻隔层；一形成于该正面电流阻隔层上的正面电极，而该正面电极的部分区域可直接连接该LED磊晶层；一形成于基板底层部分表面的背面电流阻隔层；以及一形成于该背面电流阻隔层底层的背面电极，而该背面电极的部分区域可直接连接该基板。

2、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中背面电流阻隔层的作用面积大于该正面电流阻隔层。

3、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该正面电极复盖整个正面电流阻隔层，致使正面电极连接该LED磊晶层的部分区域成环状态样。

4、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该正面电流阻隔层可连接LED磊晶层整个侧边，致使正面电极仅有一侧边连接该LED磊晶层。

5、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该背面电极复盖整个背面电流阻隔层，致使背面电极连接该基板的部分区域成环状态样。

6、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该背面电流阻隔层可连接基板整个侧边，致使背面电极仅有一侧边连接该基板。

7、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该LED磊晶层为一双异质结构。

8、如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该发光二极管也可为一平面型发光二极管，致使背面电极及背面电流阻隔层也是与正面电极与正面电流阻隔层相似，形成于LED磊晶层的顶层部分表面上，而分别成为一第二电极及第二电流阻隔层。

9、一种可控制区域电流密度的发光二极管，其特征在于：其主要构造包括有：一基板；一成长于该基板上而具有一P-N界面的发光二极管磊晶层，其P-N界面可在电流通过时产生发射光源；一形成于该LED磊晶层上部分区域的正面电极；一形成于基板底层部分表面的背面电流阻隔层；以及一形成于该背面电流阻隔层底层的背面电极，而该背面电极的部分区域可直接连接该基板。

10、如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：其中该背面电极复盖整个背面电流阻隔层，致使背面电极连接该基板的部分区域成环状态样。

11、如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：其中该背面电流阻隔层可连接基板整个侧边，致使背面电极仅有一侧边连接该基板。

12、如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：其中该LED磊晶层为一双异质结构。

13、如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：其中该发光二极管也可是一平面型发光二极管，致使背面电极及背面电流阻隔层也形成于LED磊晶层的顶层部分表面上，而分别成为一第二电极及第二电流阻隔层。

14、一种可控制区域电流密度的发光二极管，其特征在于：其主要构造包括有：一基板；一成长于该基板上而具有一P-N界面的发光二极管磊晶层，其P-N界面可在电流通过时产生发射光源；一形成于LED磊晶层顶层部分表面的正面电流阻隔层；一形成于该正面电流阻隔层上的正面电极，而正面电极的部分区域可直接连接该LED磊晶层；以及一形成于基板底层部分表面的背面电极。

15、如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：其中该正面电极复盖整个正面电流阻隔层，致使正面电极连接该LED磊晶层的部分区域成环状态样。

16、如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：其中该正面电流阻隔层可连接LED磊晶层整个侧边，致使正面电极仅有一侧边连接该LED磊晶层。

17、如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：其中该LED磊晶层为一双异质结构。

18、如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：其中该发光二极管也可是一平面型发光二极管，致使背面电极也形成于LED磊晶层的顶层部分表面上，而分别成为一第二电极。