[发明专利]具有叠置电容器和埋置字线的动态随机存取存储器

摘要

一种在DRAM中使用的存储单元,包括在半导体本体的上表面源和漏区之间形成的沟槽。沟槽由适合于用做栅介质的层作衬里,并用作为栅电极的掺杂多晶硅局部地填充。沟槽的导电填充物的位置低于半导体本体的表面,位置之间的差异由氧化硅填充。连接栅导体的字线类似地低于半导体本体的上表面。

主权项

1.一种包括与存储电容器串联的晶体管的存储单元，用在形成动态随机存取存储器的存储单元的阵列中，包括：具有上表面的一种导电类型的半导体本体；第一和第二区域与半导体本体的导电类型相反，适合于作为晶体管的源和漏区，它们形成在半导体本体中，由部分半导体本体隔开，每个源和漏部分包括部分上表面；在隔开区域之间中部的半导体本体区域中的沟槽，沟槽包括导电的填充物，导电填充物的位置低于半导体本体上表面，并与周围的半导体本体通过适用于作为晶体管栅介质的材料层电隔离并包括上面覆盖的介质层；位于半导体本体上的存储电容器，并包括作为下极板的源区域上的导电层、覆盖下极板的适合于用作电容器介质的材料层、以及在电容器介质上作为上极板的导电层。