[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99110777.2 | 申请日： | 1995-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1245976A | 公开（公告）日： | 2000-03-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种腐蚀设备,具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室,以及一个腐蚀室。在腐蚀室中,使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀,例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀,是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的第一绝缘膜，含有氮化硅；在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，含有氧化硅；在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；栅电极，靠近所述结晶半导体膜且带有栅绝缘膜；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过所述层间绝缘膜与所述漏区电连接。
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