[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99110777.2 | 申请日： | 1995-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1245976A | 公开（公告）日： | 2000-03-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
具有绝缘表面的衬底；
在所述衬底上的第一绝缘膜，含有氮化硅；
在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，含有氧化硅；
在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；
栅电极，靠近所述结晶半导体膜且带有栅绝缘膜；
层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及
象素电极，通过所述层间绝缘膜与所述漏区电连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅绝缘膜含有氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述象素电极含有氧化铟锡。
4.一种半导体器件，包括：
具有绝缘表面的衬底；
在所述衬底上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；
栅电极，靠近所述结晶半导体膜且带有栅绝缘膜；
在所述结晶半导体膜上的第一层间绝缘膜，含有氧化硅；
在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜，含有氮化硅；
在所述第二层间绝缘膜上的象素电极，该象素电极通过第一和第二层间绝缘膜与所述漏区电连接。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述栅绝缘膜含有氧化硅。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述象素电极含有氧化铟锡。
7.一种半导体器件，包括：
具有绝缘表面的衬底；
在所述衬底上的第一绝缘膜，含有氧化硅；
在所述底膜上的第二绝缘膜，含有氮化硅；
在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有在一对掺杂区之间的沟道区；
在所述沟道区上的栅电极，带有栅绝缘膜；
在所述结晶半导体膜上的第一层间绝缘膜，含有氧化硅；
至少一条引线，通过所述第一层间绝缘膜与所述一对掺杂区至少之一连接；
在所述引线上方的第二层间绝缘膜，含有氮化硅；以及
象素电极，通过第一和第二层间绝缘膜与所述一对掺杂区的另一区电连接。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述栅绝缘膜含有氧化硅。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述象素电极含有氧化铟锡。
10.一种半导体器件，包括：
具有绝缘表面的衬底；
在所述衬底上的分层绝缘膜；
在所述分层绝缘膜上的结晶半导体膜，具有在一对掺杂区之间的沟道区；
在所述结晶半导体膜上的栅电极，带有栅绝缘膜；
在所述结晶半导体膜上的分层层间绝缘膜；以及
象素电极，通过所述分层层间绝缘膜与所述一对掺杂区之一电连接。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述栅绝缘膜含有氧化硅。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述象素电极含有氧化铟锡。
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