[发明专利]MIS半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99108890.5 | 申请日： | 1994-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1241816A | 公开（公告）日： | 2000-01-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/28;H01L29/786;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法,其中,在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区,于是采取预防措施,以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界,并且从上面照射激光或者相当的高光强的光,而达到激活的效果。 | ||
| 搜索关键词： | mis 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件用的一种电容器，包括：第一电极，由一绝缘表面上形成的一种金属构成；阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一电极与第二电极之间形成电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
