[发明专利]MIS半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.半导体器件用的一种电容器，包括：

第一电极，由一绝缘表面上形成的一种金属构成；

阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及

第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一电极与第二电极之间形成电容器。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述金属选自由铝、钛、钽、钨和钼组成的一组金属。

3.一种半导体器件，包括：

一个薄膜晶体管，形成在一基片上，该薄膜晶体管包含结晶半导体层，其中有一个沟道形成区，沟道形成区上形成有栅绝缘膜，沟道形成区上还有栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；

第一电极，由基片上形成的一种金属构成；

阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及

第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一电极与第二电极之间形成电容器。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述结晶半导体层由硅和锗组成。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属选自由铝、钛、钽、钨和钼组成的一组金属。

6.一种半导体器件，包括：

一个薄膜晶体管，形成在一基片上，该薄膜晶体管包含结晶半导体层，其中有源区、漏区和沟道形成区，所述沟道形成区上形成有栅绝缘膜，沟道形成区上还有栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；

第一电极，由基片上形成的一种金属构成；

阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及

第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一电极与第二电极之间形成电容器，

其中，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源区或漏区之一电连接。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述结晶半导体层由硅和锗组成。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述金属选自由铝、钛、钽、钨和钼组成的一组金属。

9.一种半导体器件，包括：

一个薄膜晶体管，形成在一基片上，该薄膜晶体管包含结晶半导体层，其中有源区、漏区和沟道形成区，靠近所述沟道形成区形成有栅绝缘膜，靠近所述沟道形成区还形成有栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；

第一电极，由基片上形成的一种金属构成；

阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及

第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一与第二电极之间形成电容器，

其中，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源区或漏区之一电连接。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述结晶半导体层由硅和锗组成。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述金属选自由铝、钛、钽、钨和钼组成的一组金属。

12.一种半导体器件，包括：

一个薄膜晶体管，形成在一基片上，该薄膜晶体管包含结晶半导体层，其中有源区、漏区和沟道形成区，所述沟道形成区上形成有栅绝缘膜，沟道形成区上还有栅电极，其间插有所述栅绝缘膜；

第一电极，由基片上形成的一种金属构成，所述第一电极由与所述栅电极相同的导电膜形成；

阳极氧化膜，形成在所述第一电极表面上，该阳极氧化膜由所述金属的氧化物构成；以及

第二电极，形成在所述阳极氧化膜上，从而在所述第一与第二电极之间形成电容器，

其中，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源区或漏区之一电连接。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述结晶半导体层由硅和锗组成。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述金属选自由铝、钛、钽、钨和钼组成的一组金属。