[发明专利]长波限电调节红外光摄像靶无效
| 申请号： | 99108225.7 | 申请日： | 1999-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1275798A | 公开（公告）日： | 2000-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陆大荣 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 于正河 |
| 地址： | 266071 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用半导体加工制备的,用于光电设备中的长波限电调节红外光摄像靶,以高阻抗的半导体硅(或锗)材料为衬底,经氧化、光刻、扩散形成集电区,再反复多次氧化、光刻、扩散形成基区和极薄的发射区,构成N+PN－结构的光敏单元,再将多个光敏单元阵列与时序电路集成于同一半导体芯片上形成红外光摄像靶,调节外电压可使长波限随之变化,达到采集彩色信息的效果,其工艺成熟、简单,性能稳定可靠,是红外遥感、遥测技术所需的理想器件。 | ||
| 搜索关键词： | 长波 限电 调节 红外光 摄像 | ||
【主权项】：
1、一种采用常规的半导体材料和相应加工技术制备而成的长波限电调节红外光摄像靶，其特征在于选择高阻抗半导体材料为衬底，经氧化、光刻并进行低浓度掺杂剂扩散而形成收集区，再在收集区上经多次氧化、光刻、扩散后形成发射区和基区，从而构成N+PN-结构或PNP结构或MNP结构的光敏单元，将由若干个光敏单元组成的红外光摄像元兼容制备时序电路集成于同一半导体芯片上形成红外光摄像靶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
