[发明专利]长波限电调节红外光摄像靶无效
| 申请号： | 99108225.7 | 申请日： | 1999-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1275798A | 公开（公告）日： | 2000-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陆大荣 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 于正河 |
| 地址： | 266071 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 长波 限电 调节 红外光 摄像 | ||
【权利要求书】：
1、一种采用常规的半导体材料和相应加工技术制备而成的长波限电调节红外光摄像靶，其特征在于选择高阻抗半导体材料为衬底，经氧化、光刻并进行低浓度掺杂剂扩散而形成收集区，再在收集区上经多次氧化、光刻、扩散后形成发射区和基区，从而构成N+PN-结构或PNP结构或MNP结构的光敏单元，将由若干个光敏单元组成的红外光摄像元兼容制备时序电路集成于同一半导体芯片上形成红外光摄像靶。
2、根据权利要求1所述的长波限电调节红外光摄像靶，其特征在于摄像光敏元的发射区极薄，为高掺杂的硅单晶，也可以采用贵金属的硅合金或者是高掺杂的多晶或单晶，可通过外电压对每个摄像单元的光响应的长波限进行调节，而具备采集成像点不同频谱红外彩色信息的效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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