[发明专利]半导体器件中的电容器结构及其形成方法无效
| 申请号： | 99106381.3 | 申请日： | 1999-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1235378A | 公开（公告）日： | 1999-11-17 |
| 发明（设计）人： | 佐甲隆 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在叠层电容器中,该电容器包括在DRAM中并有通过电容器介质膜相互相对且相互分开的电容器下电极和电容器上电极,在包括电容器下电极的尖锐部分的电容器下电极的上表面之间形成附加介质膜,并用电容器介质膜覆盖附加介质膜。因此,在电容器下电极的尖锐部分电场不再局部集中,电容下电极可有大的表面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1．一种电容器，该电容器包括在半导体器件中并有通过电容器介质膜相互相对且相互分开的第一电极和第二电极，在包括所述第一电极边缘的所述第一电极的表面部分与所述电容器介质膜之间形成附加介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
