[发明专利]半导体器件中的电容器结构及其形成方法

权利要求书

1．一种电容器，该电容器包括在半导体器件中并有通过电容器介质膜相互相对且相互分开的第一电极和第二电极，在包括所述第一电极边缘的所述第一电极的表面部分与所述电容器介质膜之间形成附加介质膜。

2．根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述附加介质膜有这样的膜厚，该膜厚使得作用于由所述电容器介质膜和所述附加介质膜构成的叠置的绝缘层的电场强度不大于作用于仅由所述电容器介质膜构成的单个绝缘层上的电场强度的75％。

3．根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述附加介质膜形成在包括所述第一电极边缘的所述第一电极的上表面与所述电容器介质膜之间。

4．根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述第一电极有表面面积大于所述上表面面积的侧表面。

5．根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述附加介质膜由选自氧化硅、氮化硅和氧化钽构成的组中的材料形成。

6．根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极是以实芯柱状形式的电容器下电极，所述第一电极有上表面和其表面面积大于所述上表面面积的侧表面，所述附加介质膜仅由所述电容器下电极的所述上表面形成，并且，形成的所述电容器介质膜为覆盖所述电容器下电极的所述侧表面和覆盖形成在所述电容器下电极的所述上表面上的所述附加介质膜，所述第二电极是覆盖所述电容器介质膜的电容器上电极。

7．根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述电容器介质膜由氮化硅和氧化钽构成的组中的材料形成，所述附加介质膜由选自氧化硅、氮化硅和氧化钽构成的组中的材料形成。

8．根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极是圆柱型形式的电容器下电极，该下电极有底部电极部分和从所述底部电极部分周边直立的侧壁电极部分，所述附加介质膜仅在所述侧壁电极部分的所述上端表面形成，并且形成的所述电容器介质膜覆盖所述底部电极部分、所述侧壁电极部分的外侧表面和内侧表面，所述附加介质膜形成在所述侧壁电极部分的所述上端表面上，所述第二电极是覆盖所述电容器介质膜的电容器上电极。

9．根据权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述电容器介质膜由氮化硅和氧化钽构成的组中的材料形成，所述附加介质膜由选自氧化硅、氮化硅和氧化钽构成的组中的材料形成。

10．一种在半导体器件中形成电容器的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一导电膜，在第一导电膜的上表面上形成第一绝缘膜，构图第一导电膜和第一绝缘膜形成第一电极和附加介质膜，在包括第一电极和附加介质膜的整个表面上形成作为电容器介质膜的第二绝缘膜，和在电容器介质膜上形成作为第二电极的第二导电膜。

11．根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一导电膜被形成为实芯柱状形式，其侧表面的表面面积大于所述第一导电膜的上表面面积。

12．一种在半导体器件中形成电容器的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一导电膜，在第一导电膜上形成腐蚀阻挡膜，在腐蚀阻挡膜上形成缓冲膜，构图缓冲膜，在包括构图的缓冲膜的整个表面上形成第一绝缘膜，深腐蚀第一绝缘膜，仅在构图的缓冲膜的侧表面上留下侧壁绝缘膜并除去腐蚀阻挡膜的露出部分，用侧壁绝缘膜作掩模进行腐蚀，去除构图的缓冲膜、腐蚀阻挡膜和第一导电膜的一部分，于是形成构图的圆柱型形式的第一电极，第一电极有带有用侧壁绝缘膜覆盖的上端的圆柱型壁，并保留位于侧壁绝缘膜下的腐蚀阻挡膜，在包括第一电极的整个表面上形成作为电容器介质膜的第二绝缘膜，和在电容器介质膜上形成作为第二电极的第二导电膜。