[发明专利]脊状光波导半导体发光元件的制作方法

摘要

一种脊状光波导半导体发光元件的制作方法，包括下列步骤1、在一第一型半导体基板上形成依序第一型磊晶层与至少一第二型磊晶层，并使第二型磊晶层形成为脊状光波导；2、在其上形成具有重载子浓度的第一型半导体；3、在第一型半导体上形成金属层；脊状光波导的外侧载子浓度高于其内部的载子浓度；第一及第二型磊晶层间形成有发光活性层；第一型磊晶层可包括一束缚层及夹覆层；第二型磊晶层可包括束缚层、夹覆层、转移层及覆盖层。

主权项

1、一种脊状光波导半导体发光元件的制作方法，包括下列步骤：(i)在一基片上依序外延形成第一型夹覆层(42)、第一型未掺杂束缚层(43)、量子阱活性层(44)、第二型未掺杂束缚层(45)、第二型夹覆层(46)、第二型阻碍层(48)、第二型帽层(50)；(ii)以光刻技术在上述第二型帽层(50)上制作感光层(52)，蚀刻第二型帽层(50)、第二型阻碍层(48)及第二型夹覆层(46)，至接近第二未掺杂的束缚层(45)的位置停止，以形成脊状光波导；(iii)形成一感光层(54)，以掩蔽脊状光波导；(iv)去除未被感光层(54)掩蔽的第二传导型帽层(50)，再去除感光层(54)；(v)最后连续在其上镀上金属氧化物(56)及金属层(58)。