[发明专利]脊状光波导半导体发光元件的制作方法

权利要求书

1、一种脊状光波导半导体发光元件的制作方法，包括下列步骤：

(i)在一基片上依序外延形成第一型夹覆层(42)、第一型未掺杂束缚层(43)、量子阱活性层(44)、第二型未掺杂束缚层(45)、第二型夹覆层(46)、第二型阻碍层(48)、第二型帽层(50)；

(ii)以光刻技术在上述第二型帽层(50)上制作感光层(52)，蚀刻第二型帽层(50)、第二型阻碍层(48)及第二型夹覆层(46)，至接近第二未掺杂的束缚层(45)的位置停止，以形成脊状光波导；

(iii)形成一感光层(54)，以掩蔽脊状光波导；

(iv)去除未被感光层(54)掩蔽的第二传导型帽层(50)，再去除感光层(54)；

(v)最后连续在其上镀上金属氧化物(56)及金属层(58)。

2、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述脊状光波导的表面载子浓度高于其内部的载子浓度。

3、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一型为n型，所述第二型为p型。

4、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一型为p型，所述第二型为n型。

5、根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度的半导体为氧化物半导体。

6、根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度的半导体为氧化物半导体。

7、根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度氧化物半导体为单一层氧化物。

8、根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度氧化物半导体为至少二层氧化物。

9、根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度氧化物半导体为至少二种混合的氧化物半导体。

10、根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述重载子浓度氧化物半导体与金属层间可再加入一层与第一层重载子浓度氧化物半导体同型的其他非氧化物半导体。

11、根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为ZnO、SnO₂、In₂O₃、Ti₂O₃、CdO、TiO₂、PbO或PbO₂，及其混合形成的化合物或固溶体中之一。

12、根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体中可添加杂质，以增加电子的浓度。

13、根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为NiO、CoO、MnO、FeO、Fe₂O₃、CrO、Cr₂O₃、CrO₂、PdO、CuO、Cu₂O、SnO或Ag₂O，及其混合形成的化合物或固溶体，及CuAlO₂或SrCu₂O₂等中之一。

14、根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体中可添加杂质，以增加空穴的浓度。

15、根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟锡氧化物。

16、根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为添加至少Ga、In、Al或Ce中之一的氧化物。

17、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述脊状光波导半导体发光元件为激光二极管或发光二极管。

18、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤(ii)中形成至少一个脊状光波导。

19、根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属层为至少一层金属层或合金层。

20、根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述非氧化物半导体为Si、Ge、GaAs、InP、GaP、ZnS、CdTe、PbS或ZnSe中之一。