[发明专利]消除金属化学汽相淀积期间的边缘效应的方法无效
| 申请号： | 98813226.5 | 申请日： | 1998-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1284203A | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 尚塔尔·阿里纳;罗纳德·贝特伦;伊曼纽尔·圭多蒂 | 申请（专利权）人： | 东京电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种消除在半导体基片(22)表面(26a,26b)上化学汽相淀积例如铜等金属时的边缘效应的方法。反应室(46)内的基座(20)暴露于等离子体。其上容纳且利用化学汽相淀积法处理的基片(22)在边缘(44)和非边缘表面(28)上具体均匀金属层。在将基座(20)再次暴露于等离子体之前,可以处理多个基片(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 金属 化学 汽相淀积 期间 边缘 效应 方法 | ||
【主权项】：
1．一种消除在半导体基片表面上化学汽相淀积金属中的边缘效应的方法，包括以下步骤：在基片上进行化学汽相淀积前，将用于支撑该基片的基座暴露于等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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