[发明专利]消除金属化学汽相淀积期间的边缘效应的方法

权利要求书

1．一种消除在半导体基片表面上化学汽相淀积金属中的边缘效应的方法，包括以下步骤：

在基片上进行化学汽相淀积前，将用于支撑该基片的基座暴露于等离子体。

2．如权利要求1的方法，该暴露步骤包括将至少一个表面上具有自然氧化物层的基座暴露于等离子体的步骤。

3．如权利要求2的方法，该暴露步骤包括将具有厚约10埃-约20埃的自然氧化层的基座暴露于等离子体的步骤。

4．如权利要求1的方法，该暴露步骤包括在基片上化学汽相淀积铜之前将基座暴露于氢/氩等离子体。

5．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在约0.1-25乇、优选为约1乇的压力下的反应室中进行的。

6．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在功率为约50-1500W、优选为约750W的反应室中进行的。

7．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在频率为约250-500KHz、优选为约450KHz的反应室中进行的。

8．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在氢流量为约50-5000sccm、优选为约200 sccm的反应室中进行的。

9．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在氩流量为约10-1500sccm、优选为约50 sccm的反应室中进行的。

10．如权利要求4的方法，该暴露步骤是在基座温度为约120℃-700℃、优选为约180℃的反应室中进行的。

11．如权利要求4的方法，该暴露步骤是反应室中进行约2-240秒、优选为约20秒的时间。

12．如权利要求1的方法，该暴露步骤包括将带有支撑于其上的基片的基座暴露于氢/氩等离子体，所述基片具有硅基层、TiN中间层和自然氧化物上层。

13．如权利要求12的方法，该暴露步骤包括将具有硅基层、厚度为约500埃的TiN中间层和自然氧化物上层的基片暴露于氢/氩等离子体的步骤。

14．如权利要求12的方法，该暴露步骤包括将具有硅基层、TiN中间层和厚度为约10埃-约20埃的自然氧化物上层的基片暴露于氢/氩等离子体的步骤。

15．如权利要求12的方法，该暴露步骤包括将具有硅基层、TiN中间层和自然氧化物上层的基片暴露于氢/氩等离子体的步骤，该等离子体由加在喷头上的射频发生器激发，所述氢和氩通过所述喷头向基片扩散。

16．一种制造半导体的方法，包括以下步骤：

(a)将基座暴露于等离子体；

(b)将基片装到该基座上；

(c)利用化学汽相淀积法，在支撑于所述基座上的基片上淀积金属膜；

(d)在再将所述基座暴露于等离子体前，重复步骤(b)至(c)多次；

(e)重复步骤(a)至(d)，直到处理了所要求数量的基片：

该所要求数量的基片包含基本均匀的金属膜。

17．如权利要求16的方法，在将所述基座再次暴露于等离子体前，对一个以上的基片、优选对两个以上基片进行所述淀积步骤。

18．如权利要求16的方法，该暴露步骤包括将基座暴露于氢/氩等离子体，并且，该淀积步骤包括在基片上淀积铜膜。

19．一种消除铜化学汽相淀积中半导体基片表面上的边缘效应的方法，包括：

在将基片装于基座上进行铜化学汽相淀积之前，将基座暴露于压力为约1乇、功率为约750W、频率为约450KHz、氢流量为约200sccm、氩流量约为50 sccm、基座温度为约180℃的反应室内达为约20秒的时间。

20．根据权利要求19的方法，该暴露步骤是针对支撑着基片的基座发生的。

21．一种制造半导体的方法，包括以下步骤：

将基座暴露于等离子体；及

利用化学汽相淀积法，用基本均匀的金属膜镀敷多个基片；

多个基片是在再对该基座进行暴露步骤之前被镀敷的。

22．根据权利要求21的方法，该暴露步骤是针对支撑着基片的基座发生的。