[发明专利]单片高频压控振荡器微调电路无效
| 申请号: | 98810788.0 | 申请日: | 1998-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN1278372A | 公开(公告)日: | 2000-12-27 |
| 发明(设计)人: | C·布耶尔克;M·兰茨;T·盖登福斯;B·马霍莱夫 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李亚非 |
| 地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 单片高频压控振荡器微调电路包括有选择地连接在电压振荡器有源网络(110)的第一(120)和第二(130)差分输入端之间的多个电容环路(140)。与这些电容环路(140)串联连接的多个二极管(159,160)在被正偏压时有选择地将相应的电容环路(140)连续在第一(120)和第二(130)差分输入端之间。按照同样的方式,这些二极管在被反偏压时使相应的电容环路(140)与第一(120)和第二(130)差分输入端断开。控制器(180)把正偏压施加给被选定电容环路(140)的二极管(159,160),以便把该电容环路(140)连接到压控振荡器的有源网络(110),把反偏压施加给被选定电容环路(140)的二极管(159,160),以便使该电容环路(140)与该有源网络(110)断开。电容环路(140)中使用的二极管(159,160)构成可高频工作的开关,它们都是双极互补金属氧化物半导体静电放电保护二极管。 | ||
| 搜索关键词: | 单片 高频 压控振荡器 微调 电路 | ||
【主权项】:
1.单片高频压控振荡器微调电路,包括:有选择地连接在压控振荡器有源网络的第一和第二差分输入端之间的多个电容环路;与这些电容环路串联连接的多个二极管,这些二极管中的每一个二极管有选择地将多个电容环路中的相应的一个电容环路连接在第一和第二差分输入端之间;和把正向偏压施加给被选定电容环路的二极管的控制器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利森电话股份有限公司,未经艾利森电话股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98810788.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。





