[发明专利]单片高频压控振荡器微调电路

权利要求书

1.单片高频压控振荡器微调电路，包括：

有选择地连接在压控振荡器有源网络的第一和第二差分输入端之间的多个电容环路；

与这些电容环路串联连接的多个二极管，这些二极管中的每一个二极管有选择地将多个电容环路中的相应的一个电容环路连接在第一和第二差分输入端之间；和

把正向偏压施加给被选定电容环路的二极管的控制器。

2.权利要求1的电路，还包括与多个二极管的第一端子连接的电压源，该电压源把基准电压施加给这些二极管的第一端子。

3.权利要求2的电路，其中的每一个电容环路包括串联连接的第一和第二二极管。

4.权利要求3的电路，还包括：

连接在电压源和第一二极管的第一端子之间的第一电阻；和

连接在电压源和第二二极管的第二端子之间的第二电阻。

5.权利要求2的电路，还包括：

连接在电压源和二极管的第一端子之间的第一电阻；和

连接在控制器和二极管的第二端子之间的第二电阻。

6.权利要求5的电路，其中的每一个电容环路包括：

连接在第一差分输入端和二极管的第二端子之间的第一电容器，该第一电容器将第一差分输入端与施加给二极管的第二端子的直流电压隔离开来；和

连接在第二差分输入端和二极管的第一端子之间的第二电容器，该第二电容器将第二差分输入端与施加给二极管的第一端子的直流电压隔离开来。

7.权利要求1的电路，其中的多个二极管是双极互补金属氧化物半导体二极管。

8.权利要求1的电路，其中的那些二极管是双极互补金属氧化物半导体静电放电保护二极管。

9.可高频操作的、把一集成电路的第一部分连接到该集成电路的第二部分的开关，包括：

双极互补金属氧化物半导体静电放电保护二极管；

连接在该集成电路的第一部分和该二极管的第一端子之间的第一电容器，该第一电容器将该集成电路的第一部分与施加给该二极管的第一端子的直流电压隔离开来；和

连接在该集成电路的第二部分和该二极管的第二端子之间的第二电容器，该第二电容器将该集成电路的第二部分与施加给该二极管的第二端子的直流电压隔离开来。