[发明专利]具有至少一个从含Se层至含BeTe层的过渡层的Ⅱ－Ⅵ半导体器件及此过渡层的制备方法无效
| 申请号： | 98807030.8 | 申请日： | 1998-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1262787A | 公开（公告）日： | 2000-08-09 |
| 发明（设计）人： | F·菲舍尔;A·瓦尔格;T·巴隆;G·兰德维尔;T·利茨;G·罗伊舍尔;M·凯姆;U·策恩德;H·P·斯坦吕克;M·纳格斯特拉瑟尔;H·J·卢戈尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | Ⅱ－Ⅵ半导体器件,在此器件上在一个层序列内,至少有一个由含BeTe半导体层向含Se半导体层的过渡层,并且在含BeTe半导体和含Se半导体层之间的界面是这样制备的,即形成一个Be－Se构型。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一个 se 层至含 bete 过渡 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.II-VI半导体器件(101)，在此器件上在一个层序列(109)内至少有一个由一个含BeTe的半导体层(2)向一个含Se半导体层(1)的过渡层，并且在含BeTe半导体层(2)和含Se半导体层(1)之间的界面是这样制备的，即形成一个Be-Se构型。
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