[发明专利]具有至少一个从含Se层至含BeTe层的过渡层的Ⅱ－Ⅵ半导体器件及此过渡层的制备方法无效
| 申请号： | 98807030.8 | 申请日： | 1998-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1262787A | 公开（公告）日： | 2000-08-09 |
| 发明（设计）人： | F·菲舍尔;A·瓦尔格;T·巴隆;G·兰德维尔;T·利茨;G·罗伊舍尔;M·凯姆;U·策恩德;H·P·斯坦吕克;M·纳格斯特拉瑟尔;H·J·卢戈尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一个 se 层至含 bete 过渡 半导体器件 制备 方法 | ||
1.II-VI半导体器件(101)，在此器件上在一个层序列(109)内至少有一个由一个含BeTe的半导体层(2)向一个含Se半导体层(1)的过渡层，并且在含BeTe半导体层(2)和含Se半导体层(1)之间的界面是这样制备的，即形成一个Be-Se构型。
2.根据权利要求1所述II-VI半导体器件，其特征在于，在此器件上对空穴的势垒小于0.4eV。
3.根据权利要求1或2所述II-VI半导体器件，其特征在于，在此器件上在含Se(1)和含BeTe层(2)之间制作了一个过渡层(3)，此过渡层由具有组分逐步变化的合金构成。
4.根据权利要求3所述II-VI半导体器件，其特征在于，在此器件上逐步变化的合金由数字逐步变化合金(6，7)形成。
5.根据权利要求3或4所述II-VI半导体器件，其特征在于，在此器件上在含Se层(1)和逐步变化或数字逐步变化合金层之间至少加入一个用受主δ掺杂的层(4)。
6.根据权利要求3至5其中之一所述II-VI半导体器件，其特征在于，在逐步变化或数字逐步变化合金层和含BeTe层(2)之间至少加入一个用施主δ掺杂的层(5)。
7.根据权利要求1至6其中之一所述II-VI半导体器件，其特征在于，在含Se层(1)中，在距含BeTe层(2)和含Se层(1)之间的界面一定间距处至少加入一个因受主掺杂的层(15)。
8.根据权利要求1至7其中之一所述II-VI半导体器件，其特征在于，在含BeTe层(2)中，在距含BeTe层(2)和含Se层(1)之间的界面一定间距处至少加入一个用施主掺杂的层(16)。
9.根据权利要求1至8其中之一所述制造II-VI半导体器件的方法，其特征在于，在外延生长含Se层时以Se覆盖终结或开始和/或生长Se在富Se条件下进行。
10.根据权利要求9所述方法，其特征在于，在生长含BeTe层之前在含Se层的表面上给出一个Se流。
11.根据权利要求9所述方法，其特征在于，Be-Se构型是这样制备的，即含Se层的生长是在富Se条件下进行。
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