[实用新型]锂离子电池保护装置

摘要

本实用新型涉及电池的自动保护装置。由中央控制芯片SB508T、二个FET场效应管、二个电阻及六个电容连接的电子线路构成。具有过充电保护动作延时Tovd、过放电保护动作延时Tuvd和短路(过流)保护动作延时Tocd三种保护动作延时功能。比同类电池的保护动作延时装置功能强,且构成元件器少、误动作概率低,防止锂离子电池在充电状态下的过充电、在放电状态下的过放电和负载短路,加装锂离子电池保护装置的锂离子电池组可直接用作手机电源。

主权项

1．一种锂离子电池保护装置，由中央控制芯片N，其型号为SB508T.、二个FET场效应管、二个电阻和六个电容连接的电子线路构成，其锂离子电池保护装置的V+、V-端接串联的两节锂离子电池的+、-极，P2端接两节电池的连接点，P+、P-端为输出端，其特征是：中央控制芯片N的1腿(CHG)接至FET场效应管Q1的栅极G；中央控制芯片N的2、3、5、6、7腿接至FET场效应管Q2的源极S和V-端；中央控制芯片N的4腿通过电阻R2接至FET场效应管Q1的漏极D和Q2的漏极D；中央控制芯片N的8腿接至P2端；中央控制芯片N的9、10、11腿短接后接至电容C1、C2、C3的短接点，电容C1的另一端接至中央控制芯片N的14腿，电容C2的另一端接至中央控制芯片N的13腿，电容C3的另一端接至中央控制芯片N的12腿；中央控制芯片N的15腿接至P+和V+端；中央控制芯片N的16(DSG)腿接至FET场效应管Q2的栅极G；P-端接至FET场效应管Q1的源极S，通过电容C6接至V-端，通过电阻R1接至中央控制芯片N的1腿；V+、P2端间接电容C4；P2、V-端接电容C5。