[发明专利]形成半导体器件槽隔离的方法

摘要

一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以填满槽。通过使用平面化腐蚀除去槽隔离层直到氮化物衬垫的上表面暴露为止。进行离子注入或等离子体处理以破坏有源氮化层但不破坏衬底。除去槽隔离层直到半导体衬底上表面暴露为止。

主权项

1.一种在半导体器件中形成槽隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层；通过腐蚀所述有源氮化层和垫氧化层形成槽掩模层，所述槽掩模层确定槽形成区域；使用槽掩模层作为掩模，腐蚀所述半导体衬底以形成槽；在所述槽的底和两侧壁上形成氧化层以除去在腐蚀所述半导体衬底的所述步骤过程中产生的衬底损坏；在包括所述有源氮化物衬垫的所述槽上形成氮化物衬垫，以防止所述槽的底和两侧壁被氧化；淀积槽隔离层以填满所述槽；进行退火工艺以致密化所述槽隔离层；通过平面腐蚀去掉所述槽隔离层，直到所述氮化物衬垫暴露为止；破坏所述有源氮化层以消弱Si-N键合力；剥离所述槽掩模层直到所述半导体衬底上表面暴露为止。