[发明专利]形成半导体器件槽隔离的方法无效
| 申请号： | 98125264.8 | 申请日： | 1998-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1239323A | 公开（公告）日： | 1999-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黄錤铉;南硕佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 隔离 方法 | ||
1. 一种在半导体器件中形成槽隔离的方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层；
通过腐蚀所述有源氮化层和垫氧化层形成槽掩模层，所述槽掩模层确定槽形成区域；
使用槽掩模层作为掩模，腐蚀所述半导体衬底以形成槽；
在所述槽的底和两侧壁上形成氧化层以除去在腐蚀所述半导体衬底的所述步骤过程中产生的衬底损坏；
在包括所述有源氮化物衬垫的所述槽上形成氮化物衬垫，以防止所述槽的底和两侧壁被氧化；
淀积槽隔离层以填满所述槽；
进行退火工艺以致密化所述槽隔离层；
通过平面腐蚀去掉所述槽隔离层，直到所述氮化物衬垫暴露为止；
破坏所述有源氮化层以消弱Si-N键合力；
剥离所述槽掩模层直到所述半导体衬底上表面暴露为止。
2. 如权利要求1的方法，其中破坏所述有源氮化层的步骤是通过离子注入进行的。
3. 如权利要求2的方法，其中所述离子注入是通过使用选自下列中的一种离子进行的：P、As、B、Ar和Si。
4. 如权利要求2的方法，其中所述离子注入是以剂量范围约从10×1010cm-2到1×1017cm-2进行的。
5. 如权利要求2的方法，其中所述离子注入是在加速能范围约从10kev到1000kev进行的。
6. 如权利要求1的方法，其中破坏所述有源氮化层的步骤是通过等离子体工艺进行的。
7. 如权利要求6的方法，其中所述等离子体工艺是通过使用选自下列中的一种离子进行的：Xe、Kr和Ar。
8. 如权利要求6的方法，其中所述等离子体工艺是在功率范围从10W到5000W进行的。
9. 如权利要求6的方法，其中所述等离子体工艺是在压力范围从1×10-4乇到700乇进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
