[发明专利]用于金属层和有机的金属层间层的双镶嵌方法有效
| 申请号： | 98118398.0 | 申请日： | 1998-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1213169A | 公开（公告）日： | 1999-04-07 |
| 发明（设计）人： | 德克·托本 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/30 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造硅集成电路的方法,使用有机层间介质(14)的双镶嵌金属化方法。要腐蚀的图形首先在硬掩模(16)上不暴露下面的层间介质(14)的情况下腐蚀,然后以扩大的比例转移到层间介质(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 有机 间层 镶嵌 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体集成电路的方法，包括以下步骤：制备一个要设置导电连接的半导体工件；在工件的上表面提供一层金属层间介质层；在金属层间介质层上淀积一层硬掩模材料；对硬掩模层构图，形成一个不露出下面的层间介质层的台阶构图；腐蚀工件，将台阶的构图转移到金属层间介质；以及在构图中填充所需的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
