[发明专利]用于金属层和有机的金属层间层的双镶嵌方法

权利要求书

1．一种制造半导体集成电路的方法，包括以下步骤：

制备一个要设置导电连接的半导体工件；

在工件的上表面提供一层金属层间介质层；

在金属层间介质层上淀积一层硬掩模材料；

对硬掩模层构图，形成一个不露出下面的层间介质层的台阶构图；

腐蚀工件，将台阶的构图转移到金属层间介质；以及

在构图中填充所需的金属。

2．根据权利要求1所述的方法，其中硬掩模上的台阶构图包括在硬掩模上分别构图第一和第二层。

3．根据权利要求2所述的方法，其中金属层间介质是不含硅的有机物。

4．根据权利要求3所述的方法，其中半导体是硅。

5．根据权利要求4所述的方法，其中硬掩模层是氧化硅。

6．根据权利要求5所述的方法，其中硬掩模层由一层氮化硅叠压在一层氧化硅上构成。

7．根据权利要求2所述的方法，其中台阶构图包括相对窄而较深的部分和相对宽而较高的部分。

8．根据权利要求7所述的方法，其中腐蚀工件以使构图以扩大的比例转移到层间介质所使用的是能够在层间介质层与硬掩模层之间优先腐蚀层间介质层的腐蚀方法。

9．根据权利要求8所述的方法，其中半导体是硅。

10．根据权利要求9所述的方法，其中层间介质层是不含硅的有机物。

11．根据权利要求10所述的方法，其中硬掩模由一层氧化硅构成。

12．根据权利要求11所述的方法，其中硬掩模由一层氮化硅叠压在一层氧化硅上构成。

13．根据权利要求12所述的方法，其中硬掩模是由各向异性氟基的腐蚀构图的。

14．根据权利要求9所述的方法，其中硬掩模中的金属化图形向层间介质中的金属化图形的转移使用各向异性氧等离子体腐蚀。