[发明专利]可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法

摘要

一种可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法，包括下列步骤提供一基底，此基底上有一元件区。形成离子注入区于元件区中，接着，形成一栅极氧化层于基底上。形成浮置栅、介电层、控制栅与氧化层于基底上。本发明包括在形成栅极氧化层之前，先于元件区中注入浓度较浓的离子，藉以使得后续生成于元件区上的栅极氧化层的厚度较厚。并且藉以在作自动对准蚀刻第一多晶硅层以形成共源极区时，作为源极区的保护层之用。

主权项

1.一种可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底上形成有一场氧化层，用以限定出一元件区；在基底的所述元件区中形成一离子注入区；形成一栅极氧化层覆盖所述基底，其中覆盖所述离子注入区的栅极氧化层的厚度较厚；形成一第一多晶硅层覆盖所述栅极氧化层；对所述第一多晶硅层构图，用以暴露出所述离子注区上的所述栅极氧化层；形成一介电层覆盖所述第一多晶硅层与暴露出的所述栅极氧化层；形成一第二多晶硅层覆盖所述介电层；形成一氧化层覆盖所述第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层构图以形成一控制栅，大约暴露出所述离子注入区上的所述介电层；以及对所述介电层与所述第一多晶硅层构图，藉以使得所述第一多晶硅层形成一浮置栅，并且在所述基底上限定出一共源极区。