[发明专利]可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法有效
| 申请号： | 98115225.2 | 申请日： | 1998-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1096708C | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 擦除 可编程 只读存储器 氧化物 单元 制造 方法 | ||
1.一种可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法，包括下列步骤：
提供一基底，该基底上形成有一场氧化层，用以限定出一元件区；
在基底的所述元件区中形成一离子注入区；
形成一栅极氧化层覆盖所述基底，其中覆盖所述离子注入区的栅极氧化层的厚度较厚；
形成一第一多晶硅层覆盖所述栅极氧化层；
对所述第一多晶硅层构图，用以暴露出所述离子注区上的所述栅极氧化层；
形成一介电层覆盖所述第一多晶硅层与暴露出的所述栅极氧化层；
形成一第二多晶硅层覆盖所述介电层；
形成一氧化层覆盖所述第二多晶硅层；
对所述第二多晶硅层构图以形成一控制栅，大约暴露出所述离子注入区上的所述介电层；以及
对所述介电层与所述第一多晶硅层构图，藉以使得所述第一多晶硅层形成一浮置栅，并且在所述基底上限定出一共源极区。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述离子注入区的方法包括离子注入法。
3.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述离子注入区的方法包括以离子注入法在所述元件区中注入浓度较浓的离子。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述栅极氧化层的方法包括热氧化法。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述第一多晶硅层的方法包括低压化学气相沉积法。
6.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述第二多晶硅层的方法包括低压化学气相沉积法。
7.如权利要求1所述的制造方法，其中形成所述氧化层的方法包括常压化学气相沉积法。
8.如权利要求1所述的制造方法，其中所述栅极氧化层的厚度约为90埃。
9.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一多晶硅层的厚度约为1000埃。
10.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第二多晶硅层的厚度约为1000埃。
11.如权利要求1所述的制造方法，其中所述介电层为堆叠的氧化物/氮化物/氧化物结构。
12.如权利要求1所述的制造方法，其中所述氧化层的材质为TEOS氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
