[发明专利]纳米二氧化硅抛光剂及其制备方法无效
| 申请号: | 98110778.8 | 申请日: | 1998-04-16 | 
| 公开(公告)号: | CN1063205C | 公开(公告)日: | 2001-03-14 | 
| 发明(设计)人: | 王相田;刘伟;刘兵海;古宏晨 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 | 
| 主分类号: | C09G1/18 | 分类号: | C09G1/18 | 
| 代理公司: | 华东理工大学专利事务所 | 代理人: | 罗大忱,陈淑章 | 
| 地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | 本发明公开了一种纳米二氧化硅(SiO#-[2])抛光剂及其制备方法,所说的抛光剂由SiO#-[2]粉体、水、分散稳定剂、润湿调节剂、pH调节剂和表面处理剂组成,SiO#-[2]的含量最高可达60%(wt.),产品的粘度<0.1Pa.s,重力沉降性能为一年以上,是一种性能优良的CMP技术用的抛光材料,能用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程,特别适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工,也可用于晶圆的后道CMP清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多晶化模组、微电机系统、光导摄像管等的加工过程,其抛光质量和抛光速度均优于国内外同类产品。$#! | ||
| 搜索关键词: | 纳米 二氧化硅 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种纳米二氧化硅抛光剂,其特征在于:(1)抛光剂由纳米SiO2粉体、水、分散稳定剂、润湿调节剂、pH调节剂和表面处理剂所组成;(2).抛光剂中分散稳定剂和表面处理剂与SiO2的配比为:分散稳定剂:(SiO2)=0.01~8.0%(wt.)表面处理剂:(SiO2)=0.01~8.0%(wt.);润湿调节剂加入的量能使最初的纯水的PH值达到2~4;pH调节剂加入的量能使最终产品的PH值达到8.5~13;所说的分散稳定剂为一种高分子表面活性剂;所说的表面处理剂为一种小分子表面活性剂;所说的润湿调节剂为一种酸性物质,所说的pH调节剂为一种碱性物质;所说的分散稳定剂为聚乙烯醇、酚改性的聚氧乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯盐酸、聚乙烯醇与聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丙二醇或聚醚改性的聚二甲基硅氧烷共聚物中的一种或一种以上;所说的表面处理剂为乙醇胺、三乙醇胺、1,2-丙二醇、丙三醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、十二羟基硬脂酸、油酸、二异丙醇胺中的一种或一种以上;所说的润湿调节剂为酒石酸、硝酸钾、水杨酸、硫酸钾、醋酸、盐酸、硫酸、氯化钾或硝酸中的一种或一种以上;所说的pH调节剂为氨水、乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、氨基丙醇、氢氧化钾或二异丙醇胺中的一种或一种以上。
            
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