[发明专利]巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种巨磁致电阻抗非晶薄带材料及其制备方法。该材料成分为FeαCoβ-τNiγSiεBΦYλRτ，其中Ｔ是Ｎｂ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｇａ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｓｎ，Ａｌ，Ｇｅ中的一种或任意两种，Ｒ是稀土元素Ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｇｄ中的一种或任意两种，该种材料采用真空熔炼、甩带、真空退火和横向磁场下真空退火工艺。该材料具有较高的巨磁致电阻抗值，是可用于交流传感技术、磁存储技术的巨磁致电阻抗材料。

主权项

1.一种巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料，其特征为该材料由FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ组成，其中T是Nb，Mn，Zr，Hf，V，Mo，W，Cu，Ga，Ag，Pt，Sn，Al，Ge中的一种或任意两种，R是稀土元素Y，La，Nd，Sm，Pr，Gd中的一种或任意两种，原子百分数：α＝4-6.5，τ＝0-5，γ＝1-2，ε＝10-13，φ＝12-15，λ＝2-4，β＝100-(α+τ+γ+ε+φ+λ)。