[发明专利]巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料及其制备方法无效
| 申请号: | 98110465.7 | 申请日: | 1998-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN1059934C | 公开(公告)日: | 2000-12-27 |
| 发明(设计)人: | 胡季帆 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
| 主分类号: | C22C45/02 | 分类号: | C22C45/02 |
| 代理公司: | 山东大学专利事务所 | 代理人: | 许德山 |
| 地址: | 250100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 致电 阻抗 效应 非晶薄带 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料,其特征为该材料由FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ组成,其中T是Nb,Mn,Zr,Hf,V,Mo,W,Cu,Ga,Ag,Pt,Sn,Al,Ge中的一种或任意两种,R是稀土元素Y,La,Nd,Sm,Pr,Gd中的一种或任意两种,原子百分数:
α=4-6.5,
τ=0-5,
γ=1-2,
ε=10-13,
φ=12-15,
λ=2-4,
β=100-(α+τ+γ+ε+φ+λ)。
2.一种制备权利要求1所述的非晶薄带材料的制备方法,其特征在于,先将FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ按原子百分数比例称料,将料放入电弧炉中,抽真空到1.33322×10-3帕,充入1.01325×105帕氩气,熔炼合金,再以30米/秒的速度由甩带机甩出FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ非晶薄带,该薄带经:a自然放置;或b在真空下300-450℃退火10-30分钟;或c在外加500 Oe-10000 Oe的横向磁场下,在300-400℃退火10-30分钟后制得巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料。
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