[发明专利]巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 98110465.7 申请日: 1998-09-25
公开(公告)号: CN1059934C 公开(公告)日: 2000-12-27
发明(设计)人: 胡季帆 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02
代理公司: 山东大学专利事务所 代理人: 许德山
地址: 250100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 致电 阻抗 效应 非晶薄带 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料,其特征为该材料由FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ组成,其中T是Nb,Mn,Zr,Hf,V,Mo,W,Cu,Ga,Ag,Pt,Sn,Al,Ge中的一种或任意两种,R是稀土元素Y,La,Nd,Sm,Pr,Gd中的一种或任意两种,原子百分数:

                      α=4-6.5,

                     τ=0-5,

                     γ=1-2,

                     ε=10-13,

                     φ=12-15,

                     λ=2-4,

                     β=100-(α+τ+γ+ε+φ+λ)。

2.一种制备权利要求1所述的非晶薄带材料的制备方法,其特征在于,先将FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ按原子百分数比例称料,将料放入电弧炉中,抽真空到1.33322×10-3帕,充入1.01325×105帕氩气,熔炼合金,再以30米/秒的速度由甩带机甩出FeαCoβ-τNiγSiεBφTλRτ非晶薄带,该薄带经:a自然放置;或b在真空下300-450℃退火10-30分钟;或c在外加500 Oe-10000 Oe的横向磁场下,在300-400℃退火10-30分钟后制得巨磁致电阻抗效应非晶薄带材料。

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