[发明专利]半导体器件的等离子体处理方法及制造方法无效
| 申请号： | 98105670.9 | 申请日： | 1998-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1193812A | 公开（公告）日： | 1998-09-23 |
| 发明（设计）人： | 橘内浩之;妻木伸夫;角田茂;野尻一男;高桥主人 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种干清洗方法,它能清除粘附在半导体制造装置内壁的淀积薄膜,亦即清除微尘产生根源。为达到这目的,该干清洗过程包括以下步骤清除装置内部组件材料的离子溅射物质及其衍生物,清除装置内部组件材料和刻蚀气体的化学混合物,以及刻蚀化学反应物。从而可能消除微尘的产生,这些微尘是随着加工晶片数量上的增多导致淀积膜的剥落而产生的。最终提高制造装置的制造产量和工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 等离子体 处理 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.用于等离子体刻蚀装置中晶片的刻蚀和干清洗处理的等离子体处理方法，其特征在于：所述干清洗处理是这样的干清洗过程，使用清除刻蚀反应物的清洗气体以及使用或者除去刻蚀装置的内部组件材料的离子溅射物或者除去刻蚀装置内部组件材料和刻蚀气体的化学化合物的清洗气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98105670.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数字照相机
- 下一篇：用信托代理机进行商业支付的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
