[发明专利]半导体器件的等离子体处理方法及制造方法

权利要求书

1.用于等离子体刻蚀装置中晶片的刻蚀和干清洗处理的等离子体处理方法，其特征在于：

所述干清洗处理是这样的干清洗过程，使用清除刻蚀反应物的清洗气体以及使用或者除去刻蚀装置的内部组件材料的离子溅射物或者除去刻蚀装置内部组件材料和刻蚀气体的化学化合物的清洗气体。

2.用于等离子体刻蚀装置中晶片的刻蚀和干清洗处理的等离子体处理方法，其特征在于：

所述干清洗处理包含以下步骤，清除刻蚀反应物，清除刻蚀装置内部组件材料和所用刻蚀气体的化学化合物。

3.用于等离子体刻蚀装置中晶片的刻蚀和干清洗处理的等离子体处理方法，其特征在于：

所述干清洗处理包括以下步骤：利用某种所选择的气体进行清洗，该气体中包含这样的材料，它和构成刻蚀处理所用刻蚀气体元素的原子间键合能，在数值上大于构成被刻蚀材料元素和构成刻蚀处理所用刻蚀气体元素之间的原子间键合能。

4.用于等离子体刻蚀装置中晶片的刻蚀和干清洗处理的等离子体处理方法，其特征在于：

所述干清洗处理有以下的步骤，清洗粘附在刻蚀装置内部的淀积化合物，所用清洗气体包含这样的材料，它和构成所述化合物的至少一种元素的原子间键合能，在数值上大于构成所述化合物元素之间的原子间键合能。

5.利用多种气体的等离子体干清洗等离子体刻蚀装置的方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步清洗和第二步清洗，其中第二步清洗所用气体包含以下的材料，它和构成所述第一步清洗所用气体的元素的原子间键合能，在数值上大于构成被刻蚀材料元素和构成第一步清洗时所用气体的元素之间的原子间键合能。

6.等离子体刻蚀装置的干清洗方法，其特征在于进行干刻蚀的步骤包括：

清洗步骤，所用气体包含以下的材料，它和构成刻蚀所用气体的元素的原子间键合能，在数值上大于构成刻蚀装置内部组件材料的元素和构成刻蚀所用气体的元素的原子间键合能。

7.在等离子体刻蚀装置内利用多种气体的等离子体干清洗所处理材料的方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步清洗和第二步清洗，其中第二步清洗所用气体包含以下的材料，它和构成所述第一步清洗所用气体的元素的原子间键合能，在数值上大于构成刻蚀装置内部组件材料的元素和构成第一步清洗时所用气体的元素之间的原子间键合能。

8.干清洗方法，在刻蚀装置内的刻蚀或清洗过程中，当被刻蚀材料含有金属氧化物时，使用的气体等离子体含有氟，氯和氧中的一种，其特征在于：

干清洗过程至少包括这样一个清洗步骤，即采用含硼气体和氯气的混合气体。

9.干清洗方法，在刻蚀装置内的刻蚀或清洗过程中，当被刻蚀材料含有铝，钨，铜和铂之一时，使用的气体等离子体至少含有氟，氯和氧中的一种，其特征在于：

干清洗过程至少包括这样一个清洗步骤，即采用含硼气体和氯气的混合气体。

10.刻蚀加工装置，其内部组件包括由有氧陶瓷，石英和表面氧化膜的金属材料制成的物体，其特征在于：

干清洗过程至少包括这样一个清洗步骤，即采用含硼气体或者包含这种含硼气体的混合气体。

11.根据前述权利要求1到9的任一项的清洗方法，其特征在于：

根据给定数选择性地进行等离子体清洗。

12.半导体器件的制造方法，其特征在于：

应用权利要求1到10的任一清洗方法，清洗制造装置内部，然后利用这些制造装置进行半导体晶片的表面处理。

13.在加工装置内对加工材料进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：

在完成所述等离子体处理后，本方法包括一个干清洗过程，该清洗过程就是使用用于清除刻蚀反应物的清洗气体，以及使用用于清除加工装置的内部组件材料的离子溅射物或加工装置内部组件材料和刻蚀气体的化学化合物的清洗气体。

14.在加工装置内对加工材料进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：

在完成所述等离子体处理后，本方法包括清除刻蚀反应物的步骤，以及清除加工装置的内部组件材料的离子溅射物或加工装置内部组件材料和刻蚀气体的化学化合物的步骤。