[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及液晶显示装置无效
| 申请号： | 98103673.2 | 申请日： | 1998-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1189698A | 公开（公告）日： | 1998-08-05 |
| 发明（设计）人： | 山口伟久;中山明男 | 申请（专利权）人： | 先进显示股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的TET由绝缘性基板;设于该绝缘性基板上的将成为栅电极的第1导电膜层;将成为该第1导电膜层上边的栅边绝缘膜层的第1绝缘膜层;该第1绝缘膜层上边的非掺杂的半导体层;以及将成为在该半导体层的源极区域上边形成的源电极和在上述半导体层的漏极上边形成的漏电极的第2导电层构成,在上述半导体层的源极区域和上述半导体层的漏极区域中形成已注入了杂质的结。本发明还提供其制造方法和半导体TET阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘性基板；设于该绝缘性基板上的将成为栅电极的第1导电膜层；将成为该第1导电膜层上边的栅极绝缘膜层的第1绝缘膜层；该第1绝缘膜层上边的非掺杂的半导体层；和将成为在该半导体层的源极区域上边形成的源电极及在上述半导体层的漏极上边形成的漏电极的第2导电层，其特征是：其构成为在上述半导体层的源极区域和上述半导体层的漏极区域上，形成已注入了n型杂质的结。
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