[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及液晶显示装置

权利要求书

1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘性基板；设于该绝缘性基板上的将成为栅电极的第1导电膜层；将成为该第1导电膜层上边的栅极绝缘膜层的第1绝缘膜层；该第1绝缘膜层上边的非掺杂的半导体层；和将成为在该半导体层的源极区域上边形成的源电极及在上述半导体层的漏极上边形成的漏电极的第2导电层，

其特征是：其构成为在上述半导体层的源极区域和上述半导体层的漏极区域上，形成已注入了n型杂质的结。

2、一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是：

(a)在绝缘性基板上边形成了第1导电膜之后，对该第1导电膜进行刻蚀设置栅极，

(b)在上述栅极上边形成第1绝缘膜和非掺杂的半导体层，使该半导体层图形化为岛状，

(c)在上述半导体层上边，用光刻制版法形成光刻胶膜，并以上述光刻胶膜为掩模注入n型杂质形成结，

(d)在除去了上述光刻胶膜之后，在形成了第2导电膜之后用光刻制版法在该第2导电膜上形成电极图形，对上述第2导电膜进行刻蚀设置源电极和栅电极。

3、一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是：

(a)在绝缘性基板上边形成了第1导电膜之后，对该第1导电膜进行刻蚀设置栅极，

(b)在上述栅极上边形成第1绝缘膜和非掺杂的半导体层，使该半导体层图形化为岛状，

(c)在上述半导体层上边，用光刻制版法形成光刻胶膜，并以上述光刻胶膜为掩模用旋转斜向注入法注入n型杂质形成结，

(d)在除去了上述光刻胶膜之后，在形成了第2导电膜之后用光刻制版法在该第2导电膜上形成图形，对上述第2导电膜进行刻蚀设置源电极和栅电极。

4、一种薄膜晶体管，包括：绝缘性基板；设于该绝缘性基板上的将成为栅电极的第1导电膜层；将成为该第1导电膜层上边的栅极绝缘膜层的第1绝缘膜层；该第1绝缘膜层上边的非掺杂的半导体层；以及将成为在该半导体层的源极区域上边形成的源电极和在上述半导体层的漏极上边形成的漏电极的第2导电层，

其特征是：其构成为向上述半导体层的源极区域和半导体层的漏极区域中形成已注入了n型杂质的结，且也向上述半导体层之内，上述源电极的下边的部分和上述漏电极的下边的部分中注入n型杂质。

5、一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是：

(a)在绝缘性基板上边形成了第1导电膜之后，对该第1导电膜进行刻蚀设置栅极，

(b)在上述栅极上边形成第1绝缘膜层和非掺杂的半导体层，

(c)在上述半导体层上边，在形成了光刻胶膜之后，从上述绝缘性基板的背面一侧进行曝光，在上述光刻胶膜上形成光刻胶图形并作为掩模用离子注入法注入n型杂质，

(d)除去上述光刻胶膜，

(e)在形成了第2导电膜之后，用光刻制版法在该第2导电膜上形成电极图形，对上述第2导电膜进行刻蚀设置源电极和栅电极。

6、一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是：

(a)在绝缘性基板上边形成了第1导电膜之后，对该第1导电膜进行刻蚀设置栅极，

(b)在上述栅极上边形成第1绝缘膜和非掺杂的半导体层，

(c)在上述半导体层上边，在形成了光刻胶膜之后，从上述绝缘性基板的背面一侧进行曝光，在上述光刻胶膜上形成光刻胶图形并作为掩模用旋转斜向注入法注入n型杂质，

(d)除去上述光刻胶膜，

(e)在形成了第2导电膜之后，用光刻制版法在该第2导电膜上形成电极图形，对上述第2导电膜进行刻蚀设置源电极和栅电极。

7、一种半导体薄膜晶体管，包括：

绝缘性基板；

在该绝缘性基板上边形成的栅极布线；

在该栅极布线上边形成的栅极绝缘膜；

在该栅极绝缘膜上边形成的本征半导体层；

在上述本征半导体层上边的源极区域上形成的源电极；

在上述本征半导体层上边的漏极区域上形成的漏电极，以及

其构成为上述本征半导体层的源极区域漏极区域被注入杂质做成为n层，上述本征半导体层的沟道区域做成为不注入杂质的i层。