[发明专利]有相互接触的n型和P型导电区的半导体集成电路器件

摘要

为了将带有SOI结构的半导体集成电路在运行时在电源线和地线上所发生的电位波动减至最低限度，并提高散热效率和运行可靠性，采用了一种不增加面积的简单结构。它有形成在用以隔离晶体管的一层埋入的绝缘层下面的n型半导体导电区和P型半导体导电区。由一晶体管引伸的球面电源线不经开关或其类似物直接与n型导电区相连。同样，由另一晶体管引伸的球面地线直接与P型导电区相连。$

主权项

1.一种半导体集成电路器件，在半导体衬底中具有形成于半导体层中的半导体集成电路部分，所述半导体层建立在一半导体衬底基体上，它们之间有一层绝缘层，其特征在于，所说的器件包括一个n型半导体导电区、一个p型半导体导电区、一条电源线和一条地线，所说的n型半导体导电区和所说的p型半导体导电区是相互接触地形成在所说的半导体衬底中的所说的绝缘层下面，所说的电源线自所说的半导体集成电路部分引伸，而所说的地线自所说的半导体集成电路部分引伸，所说的电源线与所说的n型半导体导电区直接连接，所说的地线与所说的p型导电区直接连接。