[发明专利]制造半导体器件的工艺

摘要

在硅基片(41)中形成一沟槽隔离(49/53)用于确定分给电路元件的有源区，其有一低于相邻有源区上生长的栅氧化层(54)的上表面；在形成沟槽隔离时，从限定沟槽(47)的硅基片的边缘除去二氧化硅(42)；然后硅基片的表面被氧化致使二氧化硅(49)从边缘深入硅基片，绝缘材料(53)填入第二沟槽；栅极(55)被成图在沟槽隔离上，栅极图像被精确地转换到沟槽隔离上扩展的光刻胶上，并深入二氧化硅(49)防止沟槽区电场聚集。

主权项

1.一种制造半导体器件的工艺，其特征在于包括步骤：a)制备可氧化材料构成的一基片(41；61)；b)在所述基片的主表面上形成第一材料的第一分层(42；62)；c)在所述第一分层上形成不可氧化材料的一第二分层(43；63)；d)在所述第二分层中形成一第一开口(44；64)以致使所述第一分层对所述第一开孔暴露；e)在所述第二分层的内壁上形成一侧壁隔离层(46；66)以便于在所述第一开口中形成套叠在其中的一第二开口，所述基片的一区域向所述第二开口暴露；f)形成从所述第二开口穿入所述基片的一沟槽(47；69)；g)氧化限定所述沟槽的所述基片的表面部分，以便形成限定第二沟槽(52；71)的和具有上表面周缘部分比其下部厚的氧化壁(49；70)；h)用第二材料(53；72)填充所述第二沟槽并具有与所述主表面的上表面共平面或接近的上表面以便在所述基片中形成沟槽隔离(49/53；70/72)；i)除去所述第二分层(43)。