[发明专利]制造一种红外发射发光二极管的方法无效
| 申请号： | 97197120.X | 申请日： | 1997-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1227670A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | R·泽德尔迈尔;E·尼尔施尔;N·斯塔斯 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造一种红外发射发光二极管的方法，在这种方法中在一个优先由GaAs构成的半导体衬底(1)上被涂上一个层序列，它是由半导体衬底(1)一个第一个AIGaAs－覆盖层(2)，一个包含有GaAs和/或AlGaAs的活性层(3)和一个第二个AlGaAs－覆盖层(4)组成的，其中第一个AlGaAS－－覆盖层(2)和活性层(3)是用一种MOVPE－(金属组织气相外延)－法以及第二个AlGaAs－覆盖层(4)是用一种LPE－法制造的。此外在第二个AlGaAs－覆盖层上用一种LPE－(液相外延)－法沉积上一个厚度至少约为10μm的导电的、在红外光谱范围透光的耦合层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 一种 红外 发射 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1．制造一种红外发射发光二极管的方法，在一个优先由GaAs构成的半导体衬底(1)上涂上一层当发光二极管运行时发射一束红外射线的活性层，其从半导体衬底(1)出发由一个第一个AlGaAs-覆盖层(2)，一个含有GaAs和/或AlGaAs的活性层(3)和一个第二个AlGaAs-覆盖层组成，其特征在于，第一个AlGaAs-覆盖层(2)和活性层(3)是由一种MOYPE-(金属组织气相外延)-法并且第二个AlGaAs-覆盖层(4)是由一种LPE-(液相外延)-法制成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97197120.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于复位处理器的方法以及监控器
- 下一篇：可热硬化的色漆组合物
