[发明专利]制造一种红外发射发光二极管的方法

权利要求书

1．制造一种红外发射发光二极管的方法，在一个优先由GaAs构成的半导体衬底(1)上涂上一层当发光二极管运行时发射一束红外射线的活性层，其从半导体衬底(1)出发由一个第一个AlGaAs-覆盖层(2)，一个含有GaAs和/或AlGaAs的活性层(3)和一个第二个AlGaAs-覆盖层组成，其特征在于，第一个AlGaAs-覆盖层(2)和活性层(3)是由一种MOYPE-(金属组织气相外延)-法并且第二个AlGaAs-覆盖层(4)是由一种LPE-(液相外延)-法制成的。

2．按照权利要求1的方法，其特征在于，第一个AlGaAs-覆盖层(2)和/或第二个AlGaAs-覆盖层(4)的每个的Al-含量约为10％至约为35％。

3．按照权利要求1或2的方法，其特征在于，如果晶片的直径大于2英寸时，可以实现大量制造晶片组合的红外发射发光二极管。

4．按照权利要求1至3之一的方法，其特征在于，在第二个AlGaAs-覆盖层(4)上用一种LPE-(液相外延)-法涂上一层导电的、在红外光谱范围透光的厚度至少约为10μm的耦合层(5)。

5．按照权利要求4的方法，其特征在于，耦合层(5)被构成为自支撑的并且其厚度至少约为50μm。

6．按照权利要求5的方法，其特征在于，优先由GaAs构成的半导体衬底(1)在自支撑耦合层(5)制造后被去掉。

7．按照权利要求5或6的方法，其特征在于，耦合层(5)是由优先约为20％至约为35％的Al-含量的AlGaAs构成。

8．按照权利要求5至7之一的方法，其特征在于，耦合层(5)是由多个LPE-单工序制造而成。

9．按照权利要求4至8的方法，其特征在于，耦合层(5)是用一种温差-LPE-法制造的。