[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 97122820.5 | 申请日： | 1997-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1179013A | 公开（公告）日： | 1998-04-15 |
| 发明（设计）人： | 安达正树;小川功 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供即使在用热塑性树脂形成封装的情况下也能确保可靠性的半导体器件。它配有在由热塑性树脂构成的封装部分34内部把前端部分31a、32a按各自预定长度配置,同时保持预定间隔的第1引线框架31和第2引线框架32;形成在第1和第2引线框架31、32的表面上由封装部分34的外部向内部形成焊料薄膜部分36a、36b;在第1引线框架31的前端部分装载的发光半导体元件33;一端与该发光半导体元件33的电极E连接,另一端与第2引线框架32的前端部分连接键合线33a。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：由热塑性树脂组成的封装；把该封装内部的前端部分分别按各自预定长度并列设置，同时保持预定间隔的第1引线框架和第2引线框架；形成在所述第1引线框架和第2引线框架的表面上并从所述封装的外部向内部形成的焊料薄膜；在所述第1引线框架的前端部分装配的半导体元件；一端与该半导体元件的电极连接，另一端与所述第2引线框架的前端部分连接的键合线。
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