[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 97122820.5 | 申请日： | 1997-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1179013A | 公开（公告）日： | 1998-04-15 |
| 发明（设计）人： | 安达正树;小川功 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
由热塑性树脂组成的封装；
把该封装内部的前端部分分别按各自预定长度并列设置，同时保持预定间隔的第1引线框架和第2引线框架；
形成在所述第1引线框架和第2引线框架的表面上并从所述封装的外部向内部形成的焊料薄膜；
在所述第1引线框架的前端部分装配的半导体元件；
一端与该半导体元件的电极连接，另一端与所述第2引线框架的前端部分连接的键合线。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述封装的内部至少形成0.5mm以上的所述焊料薄膜。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少按20μm的厚度形成所述焊料薄膜。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第1引线框架的装配所述半导体元件的前端部位周围和所述第2引线框架与所述键合线的另一端连接的前端部位周围形成金属薄膜部分；
所述焊料薄膜部分在所述封装内部的前端部分与该前端部分邻近的所述金属薄膜部分的端部有预定距离的间距。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述预定间距至少在0.3mm以上。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在向封装成形金属模具内导入所述热塑性树脂形成所述封装时，配有限制在所述第1引线框架的前端部分与所述第2引线框架前端部分之间形成的间隙中流入的所述热塑性树脂量的限制装置。
7.如权利要求1至6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体元件为光半导体元件。
8.半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
在并列设置并具有预定间隔的第1和第2引线框架的基端部分的预定长度上形成焊料薄膜部分的焊料薄膜形成工艺；
在所述第1引线框架的前端部分装载半导体元件的键合工艺；
用金属丝连接所述半导体元件的端子和所述第2引线框架前端部分的键合线工艺；
用热塑性树脂密封所述第1和第2引线框架前端部分及所述焊料薄膜部分在所述第1和第2引线框架的前端部分的预定长度的树脂密封工艺。
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