[发明专利]金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法

摘要

本发明公开了一种金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法，以纯钴、铁、钛、硅为原料，在感应电炉中熔炼；碳化硅粉体坯件以钢模或铸浆成形，得到致密度可调，形状复杂预制坯件；硅化物碎锭放置在广口氧化铝坩埚中，间接渗入碳化硅小圆柱立在其中，待渗碳化硅粉体坯件横卧小圆柱上；硅化物碎锭熔化后，经中立小圆柱，间接渗入上端碳化硅坯件中，获得致密、高硅化硅含量、形状复杂、净尺寸碳化硅增强金属硅化物复合材料制品。

主权项

1.一种金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法，其特征在于：以纯钴、铁、钛、硅为原料，按分子式Co1.00～1.09Si0.91～1.00，或CoTi0.00～0.08Si0.92～1.00，或Fe4～6Si2～4的配比配料，在感应电炉中熔炼，熔炼温度为熔点Tm+0℃～Tm+200℃，液相完全形成后，保温10～60min，在交流感应搅拌的条件下，熔体均质化，熔炼始终在50乇～1000乇正压氩气保护下完成，冷却后得到球形锭，破碎后待作渗入用；颗粒度为0.3～10μ的碳化硅粉料在钢模中柱杆双向推进成形，获得相对密度在50～65％待渗碳化硅圆片状预制件，或者分散制浆再铸浆成形，获得相对密度在65～70％待渗碳化硅复杂形状预制件，分散剂首选氨水，待渗预制件在室温下干燥；用足量硅化物碎块放置在广口氧化铝坩埚内，坩埚中立一个或多个直径小于3～10mm，颗粒度为＞5μ间接渗入碳化硅预制圆柱，待渗碳化硅预制件横置在这些间接渗入预制圆柱上，间接自发渗入在石墨发热体加热炉中完成，间接自发渗入温度为熔点Tm+50℃～Tm+250℃，渗入时间为20～200min，自发渗入始终在50乇～1000乇正压氩气保护下进行。